MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 130 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 913-3979
- Nº ref. fabric.:
- IRFB4310PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 913-3979
- Nº ref. fabric.:
- IRFB4310PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 130A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 170nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.66mm | |
| Altura | 9.02mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 130A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 170nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.66mm | ||
Altura 9.02mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 130 A, disipación de potencia máxima de 300 W - IRFB4310PBF
Este transistor de potencia robusto y eficiente está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en automatización, electrónica e industria eléctrica. La tecnología de canal N ofrece ventajas en la gestión de la potencia y la capacidad de conmutación. Su rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +175 °C aumenta su versatilidad y fiabilidad en diversos entornos.
Características y ventajas
• Admite una corriente de drenaje continua de hasta 130 A para grandes demandas de carga
• Funciona con una tensión máxima de 100 V para mejorar la utilidad
• El bajo RDS(on) de 7 mΩ minimiza la pérdida de potencia
• Funcionamiento en modo de mejora para aumentar la eficiencia
• Robustez integrada con capacidades de avalancha y dV/dt dinámico
• Capacidad totalmente caracterizada para una optimización precisa del rendimiento
Aplicaciones
• Utilizado en sistemas de rectificación síncrona de alta eficiencia
• Utilizados en sistemas de alimentación ininterrumpida para una reserva de energía fiable
• Adecuado para circuitos de conmutación de potencia de alta velocidad
• Diseñado para conmutación dura y alta frecuencia
¿Cómo afecta la baja RDS(on) a la eficiencia?
El bajo RDS(on) reduce la generación de calor durante el funcionamiento, lo que se traduce en una mayor eficiencia en la entrega de potencia.
¿Cuál es la importancia de la capacidad ante avalanchas?
La capacidad de avalancha protege el dispositivo de picos de tensión excesivos, lo que favorece un rendimiento estable en condiciones difíciles.
¿Puede utilizarse este dispositivo en aplicaciones de alta frecuencia?
Sí, este MOSFET está diseñado para circuitos de alta frecuencia, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones avanzadas.
¿Cuál es la corriente máxima que puede soportar a temperaturas elevadas?
A una temperatura de la carcasa de 100 °C, la corriente de drenaje continua máxima puede alcanzar los 92 A, lo que garantiza un rendimiento fiable.
¿Cómo debe montarse para un rendimiento óptimo?
Se recomienda montar el dispositivo sobre una superficie plana engrasada para maximizar la transferencia térmica al disipador.
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