MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 130 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4943
- Nº ref. fabric.:
- IRL1004PBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
90,60 €
(exc. IVA)
109,65 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 400 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,812 € | 90,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 919-4943
- Nº ref. fabric.:
- IRL1004PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 130A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | LogicFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 100nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 8.77mm | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Anchura | 4.69 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 130A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie LogicFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 100nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 8.77mm | ||
Longitud 10.54mm | ||
Anchura 4.69 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon serie LogicFET, corriente de drenaje continua máxima de 130 A, disipación de potencia máxima de 200 W - IRL1004PBF
Este MOSFET de alto rendimiento emplea tecnología Si y está diseñado para la gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones electrónicas. La estructura de canal N en modo de mejora garantiza un funcionamiento eficaz, lo que lo hace adecuado para los modernos sistemas eléctricos y de automatización, especialmente en circuitos de alta potencia.
Características y ventajas
• Capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 130 A
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V para garantizar un rendimiento sólido
• Rds(on) bajo de 7mΩ para disminuir la generación de calor
• Alta estabilidad térmica con una temperatura máxima de funcionamiento de +175°C
• El compacto encapsulado TO-220AB permite múltiples opciones de montaje
Aplicaciones
• Circuitos de alimentación de alta eficiencia
• Sistemas de automoción y automatización industrial
• Sistemas de gestión y conversión de la energía
¿Cómo contribuye la Rds(on) a la eficiencia del dispositivo?
Un bajo Rds(on) de 7mΩ minimiza las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, reduciendo así el calor y mejorando la eficiencia global en aplicaciones de potencia.
¿Qué significa el intervalo de temperatura de funcionamiento?
El dispositivo es capaz de funcionar en una amplia gama de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que garantiza un rendimiento fiable en diversas condiciones ambientales y minimiza el riesgo de fallos térmicos.
¿Puede utilizarse para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia?
Sí, está diseñado para capacidades de conmutación rápida, lo que lo hace adecuado para operaciones de alta frecuencia, mejorando así el rendimiento en sistemas de comunicación y control.
¿Qué consideraciones deben tenerse en cuenta para la instalación?
Utilice técnicas de gestión térmica adecuadas, como un disipador térmico apropiado, ya que los dispositivos de alta potencia necesitan una disipación térmica eficaz para mantener la funcionalidad y la fiabilidad.
¿Qué ocurre si la tensión puerta-fuente supera el valor nominal máximo?
Superar la tensión máxima de la fuente de puerta puede provocar el fallo del dispositivo, por lo que es vital respetar los límites especificados para garantizar la longevidad y evitar daños.
