MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 261-5484
- Nº ref. fabric.:
- STP80N450K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
107,40 €
(exc. IVA)
129,95 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 09 de junio de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,148 € | 107,40 € |
| 100 - 100 | 2,084 € | 104,20 € |
| 150 + | 2,052 € | 102,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 261-5484
- Nº ref. fabric.:
- STP80N450K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | MDmesh K6 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.6Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25.9nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie MDmesh K6 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.6Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25.9nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en la tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Mejor RDS(on) x área del mundo
Mejor FOM (cifra de mérito) del mundo
Carga de puerta ultrabaja
100 % probado contra avalanchas
Protección Zener
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines