MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N450K6, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
Opciones de empaquetado:
Código RS:
261-5485
Nº ref. fabric.:
STP80N450K6
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

MDmesh K6

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.6Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25.9nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en la tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Mejor RDS(on) x área del mundo

Mejor FOM (cifra de mérito) del mundo

Carga de puerta ultrabaja

100 % probado contra avalanchas

Protección Zener

Enlaces relacionados