MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3.2 A, Mejora, Micro6 de 6 pines

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Código RS:
262-6785
Nº ref. fabric.:
IRLMS1503TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

Micro6

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

200mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia de Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que el MOSFET de alimentación es bien conocido, lo que proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Rds ultrabajo

Canal N

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