MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLMS1503TRPBF, VDSS 30 V, ID 3.2 A, Mejora, Micro6 de 6 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*

15,85 €

(exc. IVA)

19,20 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
50 - 500,317 €15,85 €
100 - 2000,237 €11,85 €
250 - 4500,225 €11,25 €
500 - 12000,209 €10,45 €
1250 +0,174 €8,70 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
262-6786
Número de artículo Distrelec:
304-41-683
Nº ref. fabric.:
IRLMS1503TRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

Micro6

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

200mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia de Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que el MOSFET de alimentación es bien conocido, lo que proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Rds ultrabajo

Canal N

Enlaces relacionados