MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLMS1503TRPBF, VDSS 30 V, ID 3.2 A, Mejora, Micro6 de 6 pines
- Código RS:
- 262-6786
- Número de artículo Distrelec:
- 304-41-683
- Nº ref. fabric.:
- IRLMS1503TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,317 € | 15,85 € |
| 100 - 200 | 0,237 € | 11,85 € |
| 250 - 450 | 0,225 € | 11,25 € |
| 500 - 1200 | 0,209 € | 10,45 € |
| 1250 + | 0,174 € | 8,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 262-6786
- Número de artículo Distrelec:
- 304-41-683
- Nº ref. fabric.:
- IRLMS1503TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | Micro6 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 200mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.7W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado Micro6 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.7W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia de Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que el MOSFET de alimentación es bien conocido, lo que proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Rds ultrabajo
Canal N
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