MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLMS1503TRPBF, VDSS 30 V, ID 3.2 A, Mejora, Micro6 de 6 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
262-6786
Número de artículo Distrelec:
304-41-683
Nº ref. fabric.:
IRLMS1503TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

Micro6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

200mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de potencia de Infineon utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Se combina con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo por el que el MOSFET de alimentación es bien conocido, lo que proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Rds ultrabajo

Canal N

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