MOSFET, Tipo N-Canal Microchip TN2640K4-G, VDSS 400 V, ID 4 A, MOSFET, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 264-8923
- Nº ref. fabric.:
- TN2640K4-G
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 2,57 € | 5,14 € |
| 50 - 98 | 2,155 € | 4,31 € |
| 100 - 248 | 1,93 € | 3,86 € |
| 250 - 998 | 1,895 € | 3,79 € |
| 1000 + | 1,86 € | 3,72 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-8923
- Nº ref. fabric.:
- TN2640K4-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | MOSFET | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.36W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal MOSFET | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.36W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de Microchip de modo de mejora de umbral bajo (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Umbral bajo (2,0 V máx.)
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia de conexión
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida
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