MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay IRFR320TRPBF, VDSS 400 V, ID 3.1 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 812-0626
- Nº ref. fabric.:
- IRFR320TRPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- 812-0626
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- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IRFR320 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 42W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.38mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IRFR320 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 42W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.38mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie IRFR320 de Vishay, tensión de drenaje a fuente de 400 V, corriente de drenaje continua de 3,1 A - IRFR320TRPBF
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y amplificación en electrónica industrial. Funciona como un transistor de modo de mejora adecuado para conjuntos de montaje en superficie y admite entornos eléctricos exigentes donde se requiere conmutación de alta tensión controlada.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 400 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La capacidad de drenaje continuo de 3,1 A admite cargas de corriente moderadas • La baja Rds(on) de 1,8 Ω minimiza las pérdidas de conducción en condiciones nominales • La carga de puerta típica de 20 nC permite una dinámica de conmutación predecible • La disipación de potencia máxima de 42 W permite una carga térmica significativa • El rango de funcionamiento de -55 °C a 150 °C garantiza una amplia resistencia a la temperatura
Aplicaciones
• Apto para convertidores de retorno y avance en fuentes de alimentación • Ideal para etapas de control de motores industriales con carriles de alta tensión • Se utiliza para iluminación de alta tensión y circuitos de conmutación de balasto • Puede utilizarse para circuitos de protección que requieren una tensión de bloqueo robusta
¿Qué tipo de encapsulado debo esperar para el montaje en superficie?
El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-252 configurado para montaje de soldadura en un PCB y plano térmico.
¿Qué límites de tensión de puerta debo observar durante el diseño?
Las excursiones de puerta deben permanecer dentro de ±20 V con respecto a la fuente para evitar exceder el valor nominal de puerta-fondo.
¿Cómo debe abordarse la gestión térmica en una placa?
Utilice una zona de cobre adecuada y vías térmicas debajo de la tierra TO-252 para disipar hasta la potencia de 42 W indicada, teniendo en cuenta la reducción de temperatura ambiente y el flujo de aire.
¿Qué atmósferas y consideraciones de aprobación se aplican a la contratación?
El componente cumple las restricciones de materiales RoHS para la integración en sistemas sin plomo.
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