MOSFET Vishay IRFBG30PBF, VDSS 1.000 V, ID 3,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-4508
Nº ref. fabric.:: IRFBG30PBF
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay IRFBG30PBF, VDSS 1.000 V, ID 3,1 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

1964 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 50)

1,601 €

(exc. IVA)

1,937 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
50 - 50	1,601 €	80,05 €
100 - 200	1,361 €	68,05 €
250 +	1,281 €	64,05 €

*precio indicativo

Código RS:: 919-4508
Nº ref. fabric.:: IRFBG30PBF
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.000 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	125 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	80 nC a 10 V
Longitud	10.41mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	9.01mm