MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay IRFBG30PBF, VDSS 1 kV, ID 3.1 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 541-1146
- Número de artículo Distrelec:
- 171-15-229
- Nº ref. fabric.:
- IRFBG30PBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
4,20 €
(exc. IVA)
5,08 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 702 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 799 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,20 € |
| 10 - 49 | 3,78 € |
| 50 + | 3,49 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 541-1146
- Número de artículo Distrelec:
- 171-15-229
- Nº ref. fabric.:
- IRFBG30PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1kV | |
| Serie | IRFBG30 | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Altura | 9.01mm | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1kV | ||
Serie IRFBG30 | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 4.7mm | ||
Altura 9.01mm | ||
Longitud 10.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia de la serie IRFBG30 de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 1000 V, corriente de drenaje continua de 3,1 A - IRFBG30PBF
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y control de potencia en electrónica industrial. Se trata de un componente de orificio pasante suministrado en un encapsulado TO-220AB diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de potencia sustancial y una alta capacidad de tensión de drenaje a fuente.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje a fuente de 1000 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 3,1 A admite corrientes de carga moderadas
• La disipación de potencia de 125 W permite un manejo de potencia elevado
• La Rds máxima de 5 Ω minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 80 nC permite un tamaño de accionamiento de puerta predecible
• La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C soporta entornos de alto calor
• La corriente de drenaje continua de 3,1 A admite corrientes de carga moderadas
• La disipación de potencia de 125 W permite un manejo de potencia elevado
• La Rds máxima de 5 Ω minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 80 nC permite un tamaño de accionamiento de puerta predecible
• La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C soporta entornos de alto calor
Aplicaciones
• Apto para convertidores de potencia de alta tensión en sistemas de automatización
• Ideal para frontales de accionamiento de motor en equipos eléctricos
• Se utiliza para conmutación industrial en conjuntos de control
• Puede utilizarse para circuitos de protección que requieren Vds altos
• Se utiliza con etapas de potencia discretas en sistemas de accionamiento mecánico
• Ideal para frontales de accionamiento de motor en equipos eléctricos
• Se utiliza para conmutación industrial en conjuntos de control
• Puede utilizarse para circuitos de protección que requieren Vds altos
• Se utiliza con etapas de potencia discretas en sistemas de accionamiento mecánico
¿Qué margen de accionamiento de puerta es admisible para un funcionamiento seguro?
El dispositivo puede tolerar tensiones de fuente de puerta de hasta 20 V, por lo que diseña controladores de puerta para funcionar dentro de ese rango.
¿Cómo influye el encapsulado en la gestión térmica?
El encapsulado de orificio pasante TO-220AB permite la disipación térmica directa para gestionar la disipación de 125 W en condiciones de montaje y refrigeración adecuadas.
¿Qué intervalo de temperaturas ambientales puede soportar?
Funciona de manera fiable entre -55 °C y 150 °C, adaptándose a amplios extremos de temperatura industrial.
¿Qué configuración de contactos deben esperar los diseñadores?
El componente es un dispositivo de orificio pasante de tres contactos, compatible con diseños de PCB estándar para componentes de potencia discretos.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 1 kV Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 150 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 55 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 30 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 40 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 100 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines