MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay IRFBE30PBF, VDSS 800 V, ID 4.1 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:
178-0818
Nº ref. fabric.:
IRFBE30PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Serie

IRFBE30

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

78nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.7mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

10.41mm

Altura

9.01mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia serie IRFBE30 de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 4,1 A - IRFBE30PBF


Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de orificio pasante diseñado para conmutación y control de potencia en electrónica industrial. Funciona como un dispositivo de modo de mejora adecuado para aplicaciones de alta tensión, ofreciendo una combinación de manejo de tensión y capacidad de accionamiento de puerta para sistemas eléctricos exigentes.

Características y ventajas:


• La tensión de fuente de drenaje de 800 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 4,1 A admite corrientes de carga moderadas • La Rds máxima de 3 Ω reduce la pérdida de corriente durante la conducción • La carga de puerta típica de 78 nC permite un comportamiento de conmutación predecible • La disipación de potencia de 125 W gestiona el estrés térmico en circuitos de potencia • El rango de funcionamiento de -55 °C a 150 °C soporta amplios extremos de temperatura

Aplicaciones


• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión • Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial • Se utiliza para relés de estado sólido y circuitos de protección • Puede utilizarse para conmutación de carga en paneles de automatización

¿Qué límites de tensión de puerta debo observar durante el diseño?


El accionamiento de puerta debe permanecer dentro de un máximo de ±20 V en relación con la fuente para evitar la tensión por óxido de puerta.

¿Cómo debe abordarse la gestión térmica en una PCB?


Utilice un disipador térmico en el encapsulado TO‐220AB o una solución de montaje térmicamente conductiva para disipar hasta 125 W de potencia en condiciones nominales.

¿Qué características de conmutación afectan a las interferencias electromagnéticas en mi diseño?


La carga de puerta típica de 78 nC en el accionamiento de puerta especificado influye en los tiempos de subida y bajada, lo que afecta a las transiciones de conmutación y a las emisiones electromagnéticas.

¿Es este dispositivo adecuado para técnicas de montaje en superficie?


Se suministra en un encapsulado de orificio pasante TO‐220AB diseñado para montaje mecánico y montaje de orificio pasante convencional.

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