MOSFET, Tipo N-Canal Microchip VN3205N8-G, VDSS 50 V, ID 1.5 A, MOSFET, SOT-89 de 3 pines
- Código RS:
- 264-8947
- Nº ref. fabric.:
- VN3205N8-G
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,644 € | 8,22 € |
| 50 - 95 | 1,238 € | 6,19 € |
| 100 - 245 | 0,884 € | 4,42 € |
| 250 - 995 | 0,864 € | 4,32 € |
| 1000 + | 0,844 € | 4,22 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-8947
- Nº ref. fabric.:
- VN3205N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Encapsulado | SOT-89 | |
| Serie | VN3205 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | MOSFET | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Encapsulado SOT-89 | ||
Serie VN3205 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal MOSFET | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de umbral bajo de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Libre de averías secundarias
Requisito de accionamiento de baja potencia
Fácil paralelización
Velocidades de conmutación CISS bajas y rápidas
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integrado
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
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