MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Microchip VN2460N8-G, VDSS 600 V, ID 250 mA, Mejora, SOT-89 de 3 pines
- Código RS:
- 598-312
- Nº ref. fabric.:
- VN2460N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
2.686,00 €
(exc. IVA)
3.250,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 16 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,343 € | 2.686,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 598-312
- Nº ref. fabric.:
- VN2460N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 250mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | VN2460 | |
| Encapsulado | SOT-89 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.6mm | |
| Anchura | 2.6 mm | |
| Longitud | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 250mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie VN2460 | ||
Encapsulado SOT-89 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.6mm | ||
Anchura 2.6 mm | ||
Longitud 4.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET vertical de modo de mejora de canal N de Microchip es un transistor de desconexión normal que utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación proporciona las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares al tiempo que ofrece la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo típicos de los dispositivos MOS. Al igual que con todas las estructuras MOS, el dispositivo está libre de fugas térmicas y fallos secundarios inducidos térmicamente, lo que garantiza un rendimiento fiable incluso en condiciones exigentes.
Libre de averías secundarias
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Facilidad de paralelismo
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integrado
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 350 V Reducción, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 250 V Reducción, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 240 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 240 V Mejora, SOT-89 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, SOT-89 de 3 pines