MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Microchip 2N7002-G, VDSS 60 V, ID 115 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 644-261
- Nº ref. fabric.:
- 2N7002-G
- Fabricante:
- Microchip
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 10 unidades)*
5,76 €
(exc. IVA)
6,97 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2560 unidad(es) más para enviar a partir del 29 de diciembre de 2025
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,576 € | 5,76 € |
| 100 - 490 | 0,506 € | 5,06 € |
| 500 - 990 | 0,455 € | 4,55 € |
| 1000 + | 0,366 € | 3,66 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 644-261
- Nº ref. fabric.:
- 2N7002-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 115mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | 2N7002 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.36W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 115mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie 2N7002 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.36W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Longitud 2.9mm | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TH
Microchip N-Channel es un transistor de bajo umbral de modo de mejora (normalmente desactivado) que utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puertas de silicio de eficacia probada. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de manejo de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbordamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente.
Libre de averías secundarias
Requisitos de accionamiento de baja potencia
Facilidad de conexión en paralelo
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi 2N7002 ID 115 mA config. Simple
- MOSFET onsemi 2N7002 ID 115 mA , config. Simple
- MOSFET DiodesZetex 2N7002-7-F ID 115 mA config. Simple
- MOSFET DiodesZetex 2N7002-7-F ID 115 mA , config. Simple
- MOSFET DiodesZetex 2N7002A-7 ID 220 mA , config. Simple
- MOSFET DiodesZetex 2N7002E-7-F ID 300 mA , config. Simple
- MOSFET Microchip TP0610T-G ID 120 mA, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET onsemi 2N7002LT3G ID 115 mA , config. Simple