MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 653-060
- Nº ref. fabric.:
- SQ2308FES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 653-060
- Nº ref. fabric.:
- SQ2308FES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | SQ23 | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.15Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie SQ23 | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.15Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación compactas y de baja tensión. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 60 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envasado en un formato SOT-23 de ahorro de espacio, utiliza la tecnología TrenchFET para un rendimiento eficiente en entornos con restricciones térmicas.
Con cualificación AEC Q101
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
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