MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQ2308FES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
653-059
Nº ref. fabric.:
SQ2308FES-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Serie

SQ23

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.15Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.3nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

2.64 mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Altura

1.12mm

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación compactas y de baja tensión. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 60 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envasado en un formato SOT-23 de ahorro de espacio, utiliza la tecnología TrenchFET para un rendimiento eficiente en entornos con restricciones térmicas.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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