MOSFET Vishay SQ2308CES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 180-7943
- Nº ref. fabric.:
- SQ2308CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
32920 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
0,498 €
(exc. IVA)
0,603 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
20 - 180 | 0,498 € | 9,96 € |
200 - 480 | 0,398 € | 7,96 € |
500 - 980 | 0,348 € | 6,96 € |
1000 - 1980 | 0,294 € | 5,88 € |
2000 + | 0,269 € | 5,38 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-7943
- Nº ref. fabric.:
- SQ2308CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 150mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 2W mW y una corriente de drenaje continua de 2,3A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
• Rendimiento típico de ESD 1500V kV
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
• Rendimiento típico de ESD 1500V kV
Aplicaciones
• Interruptor adaptador
• Convertidor CC/CC
• Interruptor de carga
• Convertidor CC/CC
• Interruptor de carga
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2,3 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
Serie | TrenchFET |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,164 O |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
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