MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ2308CES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 180-7943
Nº ref. fabric.:: SQ2308CES-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ2308CES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 180-7943
Nº ref. fabric.:: SQ2308CES-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	2.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	164mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	1.12mm
	Anchura	2.64 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.04mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 164mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 1.12mm
	Anchura 2.64 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.04mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 150mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 2W mW y una corriente de drenaje continua de 2,3A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

• Rendimiento típico de ESD 1500V kV

Aplicaciones

• Interruptor adaptador

• Convertidor CC/CC

• Interruptor de carga

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado

• UIS probado