MOSFET, Tipo N-Canal onsemi 2N7002, VDSS 60 V, ID 115 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
671-0312P
Nº ref. fabric.:
2N7002
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

115mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

2N7002

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

223nC

Disipación de potencia máxima Pd

200mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.93mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.92mm

Anchura

1.3 mm

Distrelec Product Id

30408906

Estándar de automoción

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor


Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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