MOSFET, N-Canal Vishay SIHA150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- Código RS:
- 268-8288
- Nº ref. fabric.:
- SIHA150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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| 10 - 18 | 3,92 € | 7,84 € |
| 20 - 98 | 3,84 € | 7,68 € |
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- Código RS:
- 268-8288
- Nº ref. fabric.:
- SIHA150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | POWERPAK SO-8DC | |
| Serie | SIHA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.158Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado POWERPAK SO-8DC | ||
Serie SIHA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.158Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de la serie SIHA de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 9 A - SIHA150N60E-GE3
Este MOSFET es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación de potencia en aplicaciones de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para circuitos que requieren un rango de tensión considerable y una corriente continua moderada. El dispositivo se suministra en un encapsulado PowerPAK SO-8DC adecuado para diseños de placa compactos.
Características y ventajas:
• La clasificación de drenaje a fuente de 650 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 9 A admite un suministro de potencia moderado
• La baja Rds(on) de 0,158 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 179 W permite un manejo de carga elevado
• La carga de puerta típica de 36 nC proporciona un control de conmutación predecible
• La tolerancia de puerta de ±30 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La corriente de drenaje continua de 9 A admite un suministro de potencia moderado
• La baja Rds(on) de 0,158 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 179 W permite un manejo de carga elevado
• La carga de puerta típica de 36 nC proporciona un control de conmutación predecible
• La tolerancia de puerta de ±30 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para servidores y módulos de gestión de potencia de telecomunicaciones
• Se puede utilizar para controladores LED que requieren interruptores de alta tensión
• Adecuado para etapas de potencia de inversor y SAI
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para servidores y módulos de gestión de potencia de telecomunicaciones
• Se puede utilizar para controladores LED que requieren interruptores de alta tensión
• Adecuado para etapas de potencia de inversor y SAI
¿Qué estilo de montaje requiere para el montaje en PCB?
Se trata de un dispositivo de montaje en superficie suministrado en un encapsulado PowerPAK SO-8DC, diseñado para soldadura por reflujo en patrones de tierra de PCB compatibles con huellas SO-8DC.
¿Cómo se comporta en entornos de temperatura extendida?
El transistor está diseñado para funcionar de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en sistemas expuestos a condiciones ambientales bajas y calefacción interna elevada.
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observarse?
La tensión de puerta a fuente no debe superar ±30 V, por lo que los controladores de puerta deben limitarse dentro de estos límites para evitar el estrés por óxido de puerta.
¿Qué norma restringe las sustancias peligrosas en este componente?
El dispositivo cumple los requisitos RoHS, lo que indica restricciones en determinados materiales peligrosos durante la fabricación.
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