MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ3456CEV-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 7.8 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines

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Código RS:
268-8352
Nº ref. fabric.:
SQ3456CEV-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TSOP-6

Serie

SQ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.054Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Disipación de potencia máxima Pd

4W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.05mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET de automoción de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos con MOSFET de configuración única y dispositivo de montaje superficial. Es independiente de la temperatura de funcionamiento.

Certificación AEC Q101

Conforme con ROHS

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