MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines

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Código RS:
170-8298
Nº ref. fabric.:
SQ3460EV-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

TSOP

Serie

SQ Rugged

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

53mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.3nC

Tensión directa Vf

0.77V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Disipación de potencia máxima Pd

3.6W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Anchura

1.7 mm

Longitud

3.1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor


La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes


• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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