MOSFET, N-Canal Vishay SQ3460EV-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines

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Código RS:
787-9468
Nº ref. fabric.:
SQ3460EV-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

SQ Rugged

Encapsulado

TSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

53mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.3nC

Disipación de potencia máxima Pd

3.6W

Tensión directa Vf

0.77V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-8, +8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.1mm

Anchura

1.7mm

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor


La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes


• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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