MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS140ELNW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 214 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SLW de 8 pines

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Código RS:
268-8369
Nº ref. fabric.:
SQS140ELNW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

214A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8SLW

Serie

SQS

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0043Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

57nC

Tensión directa Vf

0.82V

Disipación de potencia máxima Pd

197W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N de automoción TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos con MOSFET de configuración única y es independiente de la temperatura de funcionamiento. Dispone de terminales de flanco húmedos.

Baja resistencia térmica

Certificación AEC Q101

Conforme con ROHS

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