MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS140ELNW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 214 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SLW de 8 pines

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Código RS:
268-8369
Nº ref. fabric.:
SQS140ELNW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

214A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SQS

Encapsulado

PowerPAK 1212-8SLW

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0043Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.82V

Disipación de potencia máxima Pd

197W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

57nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N de automoción TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos con MOSFET de configuración única y es independiente de la temperatura de funcionamiento. Dispone de terminales de flanco húmedos.

Baja resistencia térmica

Certificación AEC Q101

Conforme con ROHS

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