MOSFET de automoción, Canal P-Canal Vishay SQS135ELNW-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 47 A, MOSFET, PowerPAK 1212-8SLW de 8 pines
- Código RS:
- 790-427
- Nº ref. fabric.:
- SQS135ELNW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 790-427
- Nº ref. fabric.:
- SQS135ELNW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de automoción | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 47A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0205Ω | |
| Modo de canal | MOSFET | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 84W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de automoción | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 47A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8SLW | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0205Ω | ||
Modo de canal MOSFET | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 84W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un rendimiento robusto y fiabilidad en aplicaciones de automoción, con un diseño de canal P con una tensión nominal de 30 V (D-S) y temperaturas de funcionamiento de hasta 175 °C, lo que garantiza una gestión térmica superior.
La tecnología TrenchFET Gen IV mejora la eficiencia y la fiabilidad
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