MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS120ELNW-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 192 A, Mejora, 1212-8SLW de 8 pines

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Código RS:
280-0029
Nº ref. fabric.:
SQS120ELNW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

192A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SQS

Encapsulado

1212-8SLW

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0033Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.82V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

88nC

Disipación de potencia máxima Pd

119W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de automoción Vishay es de canal N, y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Calificación AEC-Q101

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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