MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQS181ELNW-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 44 A, Mejora, 1212-8SLW de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
280-0033
Nº ref. fabric.:
SQS181ELNW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SQS

Encapsulado

1212-8SLW

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0593Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Disipación de potencia máxima Pd

119W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-0.82V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de automoción Vishay es de canal P, y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Calificación AEC-Q101

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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