MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N340K6, VDSS 800 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
269-5163
Nº ref. fabric.:
STP80N340K6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

STP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

340mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

115W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.8nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

10.4 mm

Longitud

28.9mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics es un MOSFET de muy alta tensión diseñado con la última tecnología MDmesh K6 que resulta en la mejor clase en resistencia por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Carga de puerta ultrabaja

100 por ciento de prueba de avalancha

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