MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STP80N340K6, VDSS 800 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 269-5164
- Nº ref. fabric.:
- STP80N340K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
La imagen representada puede no ser la del producto
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (2 unidades, en pack de 2)*
10,75 €
(exc. IVA)
13,01 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 474 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,375 € | 10,75 € |
| 20 - 98 | 4,375 € | 8,75 € |
| 100 - 198 | 3,335 € | 6,67 € |
| 200 + | 2,955 € | 5,91 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 269-5164
- Nº ref. fabric.:
- STP80N340K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 340mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 115W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Anchura | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 340mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 115W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 28.9mm | ||
Anchura 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics es un MOSFET de muy alta tensión diseñado con la última tecnología MDmesh K6 que resulta en la mejor clase en resistencia por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Carga de puerta ultrabaja
100 por ciento de prueba de avalancha
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, TO-220 de 3 pines