MOSFET Infineon IMBG120R060M1HXTMA1

El MOSFET de Infineon tiene una reducción de la complejidad y el coste del sistema. Este MOSFET dispone de un diodo de cuerpo robusto para conmutación dura, tensión de umbral de puerta de referencia de 4,5 V, contacto de detección para un rendimiento de conmutación optimizado y .Tecnología de interconexión XT para el mejor rendimiento térmico de su clase. La distancia de desplazamiento y separación del encapsulado es superior a 6,1 mm.

Mejora de la eficiencia
Reducción del esfuerzo de refrigeración
Mayor densidad de potencia
Pérdidas de conmutación muy bajas
Permite una frecuencia más alta
Robusto contra encendido parásito