Canal P, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, PG-SOT223 de 3 pines

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Código RS:
273-3042
Nº ref. fabric.:
ISP26DP06NMSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

ISP

Encapsulado

PG-SOT223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

260mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, IEC61249-2-21

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal P de Infineon en nivel normal y lógico, lo que reduce la complejidad del diseño en aplicaciones de potencia media y baja.

Interfaz sencilla con MCU

Conmutación rápida

Robustez de avalancha

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