Canal P, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, PG-SOT223 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3042
- Nº ref. fabric.:
- ISP26DP06NMSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,422 € | 10,55 € |
| 50 - 75 | 0,391 € | 9,78 € |
| 100 - 225 | 0,363 € | 9,08 € |
| 250 - 975 | 0,356 € | 8,90 € |
| 1000 + | 0,348 € | 8,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-3042
- Nº ref. fabric.:
- ISP26DP06NMSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PG-SOT223 | |
| Serie | ISP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 260mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PG-SOT223 | ||
Serie ISP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 260mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal P de Infineon en nivel normal y lógico, lo que reduce la complejidad del diseño en aplicaciones de potencia media y baja.
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Conmutación rápida
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