MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN60R1K5PFD7SATMA1, VDSS 650 V, ID 3.6 A, Mejora, PG-SOT223 de 3 pines

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Código RS:
273-3015
Nº ref. fabric.:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-SOT223

Serie

IPN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.6nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC Standard

Estándar de automoción

No

El MOSFET de superunión MOS PFD7 de 600 V frío de Infineon complementa la oferta de MOS 7 frío para aplicaciones de consumo.

Reducción de costes BOM y fabricación sencilla

Robustez y fiabilidad

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