MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 0.12 A, Reducción, PG-SOT223 de 4 pines

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Código RS:
260-5074
Nº ref. fabric.:
BSP135H6906XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PG-SOT223

Serie

BSP

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor MOSFET de canal N de Infineon funciona en modo de agotamiento. Su disipación de potencia máxima es de 1,8 W. Este transistor MOSFET tiene una temperatura de funcionamiento mínima de -55 °C y una máxima de 150 °C.

Modo de agotamiento

Valor nominal dv o dt

Disponible con indicador V GS(th) en el carrete

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