MOSFET Infineon IPN50R800CEATMA1, ID 7.6 A, PG-SOT223 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
260-5153
Nº ref. fabric.:
IPN50R800CEATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.6A

Encapsulado

PG-SOT223

Serie

IPN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.8Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.3 mm

Altura

1.52mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.3mm

Estándar de automoción

No

El Infineon CoolMOS CE es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera.

Robustez de conmutación muy alta

Fácil de usar o accionar

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