MOSFET Infineon IPN50R800CEATMA1, ID 7.6 A, PG-SOT223 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
260-5153
Nº ref. fabric.:
IPN50R800CEATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.6A

Serie

IPN

Encapsulado

PG-SOT223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.8Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.52mm

Longitud

6.3mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.3 mm

Estándar de automoción

No

El Infineon CoolMOS CE es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera.

Robustez de conmutación muy alta

Fácil de usar o accionar

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