MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP135H6906XTSA1, VDSS 600 V, ID 0.12 A, Reducción, PG-SOT223 de 4 pines
- Código RS:
- 260-5075
- Número de artículo Distrelec:
- 304-41-649
- Nº ref. fabric.:
- BSP135H6906XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
11,28 €
(exc. IVA)
13,65 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 8030 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,256 € | 11,28 € |
| 25 - 45 | 1,942 € | 9,71 € |
| 50 - 120 | 1,826 € | 9,13 € |
| 125 - 245 | 1,694 € | 8,47 € |
| 250 + | 1,582 € | 7,91 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 260-5075
- Número de artículo Distrelec:
- 304-41-649
- Nº ref. fabric.:
- BSP135H6906XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PG-SOT223 | |
| Serie | BSP | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PG-SOT223 | ||
Serie BSP | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor MOSFET de canal N de Infineon funciona en modo de agotamiento. Su disipación de potencia máxima es de 1,8 W. Este transistor MOSFET tiene una temperatura de funcionamiento mínima de -55 °C y una máxima de 150 °C.
Modo de agotamiento
Valor nominal dv o dt
Disponible con indicador V GS(th) en el carrete
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Reducción, PG-SOT223 de 4 pines
- MOSFET Infineon PG-SOT223 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPN50R800CEATMA1 PG-SOT223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-SOT223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-SOT223 de 3 pines
- Canal P VDSS 60 V Mejora, PG-SOT223 de 3 pines
- Canal P VDSS 60 V Mejora, PG-SOT223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Reducción, SOT-223 de 3 pines