MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 3.6 A, Mejora, PG-SOT223 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

5,40 €

(exc. IVA)

6,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2990 unidad(es) más para enviar a partir del 20 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 400,54 €5,40 €
50 - 900,456 €4,56 €
100 - 2400,425 €4,25 €
250 - 9900,416 €4,16 €
1000 +0,409 €4,09 €

*precio indicativo

Código RS:
273-3016
Nº ref. fabric.:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-SOT223

Serie

IPN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.6nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC Standard

Estándar de automoción

No

El MOSFET de superunión MOS PFD7 de 600 V frío de Infineon complementa la oferta de MOS 7 frío para aplicaciones de consumo.

Reducción de costes BOM y fabricación sencilla

Robustez y fiabilidad

Enlaces relacionados