MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD079N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
273-3003
Nº ref. fabric.:
IPD079N06L3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

50nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

10.48mm

Anchura

6.731 mm

Altura

6.223mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de Infineon es una elección perfecta para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado, como las que se encuentran en servidores y ordenadores de sobremesa y cargador de tableta. Además, estos dispositivos se pueden utilizar para una amplia gama de aplicaciones industriales

Eficiencia del sistema más alta

Menos paralelismo necesario

Mayor densidad de potencia

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