MOSFET Infineon IPU80R1K4P7AKMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, PG-TO251-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-7470
- Nº ref. fabric.:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 75 unidades)*
74,925 €
(exc. IVA)
90,675 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1425 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,999 € | 74,93 € |
| 150 + | 0,794 € | 59,55 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7470
- Nº ref. fabric.:
- IPU80R1K4P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | PG-TO251-3 | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 32W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado PG-TO251-3 | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 32W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon tiene un mejor rendimiento de producción al reducir los fallos relacionados con ESD. Este MOSFET tiene menos problemas de producción y reducen los retornos de campo y son fáciles de seleccionar las piezas adecuadas para el ajuste preciso de los diseños. Permite diseños de mayor densidad de potencia, ahorros en BOM y costes de montaje más bajos.
Cartera completamente optimizada
Mejor rendimiento de su clase
Fácil de manejar y en paralelo
Protección ESD de diodo zener integrado
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon ID 4 A, PG-TO251-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, PG-TO251-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, PG-TO251-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V Mejora, PG-TO220-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V PG-TO-247 de 3 pines