MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPU95R750P7AKMA1, VDSS 950 V, ID 9 A, Mejora, PG-TO251-3 de 3 pines

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Código RS:
273-3023
Nº ref. fabric.:
IPU95R750P7AKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

950V

Serie

IPU

Encapsulado

PG-TO251-3

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.75Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

73W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, JEDEC

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de Infineon está diseñado para satisfacer las crecientes necesidades de los consumidores en el ámbito de los MOSFET de alta tensión. La última tecnología Cool MOS P7 de 950 V se centra en el mercado de SMPS de baja potencia. El diodo integrado mejora considerablemente la robustez ESD, lo que reduce

Fácil de manejar y diseñar

Mejor rendimiento de producción mediante la reducción de fallos relacionados con ESD

Menos problemas de producción y menor retorno de campo

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