MOSFET, N-Canal Infineon IPD95R1K2P7ATMA1, VDSS 950 V, ID 6 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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Código RS:
273-2785
Nº ref. fabric.:
IPD95R1K2P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

950V

Encapsulado

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, disipación de potencia de 52 W, tensión de drenaje a fuente de 950 V - IPD95R1K2P7ATMA1


Este MOSFET es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en rangos de temperatura exigentes. Funciona como un dispositivo de modo de mejora adecuado para aplicaciones que requieren un equilibrio de capacidad de resistencia a tensión y corriente continua moderada. El componente se suministra en un encapsulado PG-TO252-3 y cumple las restricciones ambientales de la directiva RoHS.

Características y ventajas:


• Capacidad de fuente de drenaje de 950 V que permite la conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 6 A compatible con cargas de potencia media
• Disipación de potencia de 52 W para el manejo térmico en convertidores
• RDS(on) de 1,2 Ω que minimiza las pérdidas por conducción a bajas frecuencias
• Carga de puerta típica de 15 nC que permite transiciones de conmutación controladas

Aplicaciones


• Apto para convertidores e inversores de potencia de alta tensión
• Ideal para conmutación de baja frecuencia en fuentes de alimentación industriales
• Se utiliza con placas de montaje en superficie que requieren dispositivos de alimentación compactos
• Puede utilizarse en sistemas que funcionan entre –55 y 150 °C
• Se utiliza para etapas de conmutación discretas en la gestión de potencia

¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse para un funcionamiento correcto?


La puerta no debe superar ±20 V con respecto a la fuente para evitar sobretensión eléctrica.

¿Cómo se comporta el dispositivo en temperaturas extremas?


Mantiene un funcionamiento especificado de –55 a 150 °C, lo que permite un amplio margen térmico para entornos hostiles.

¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza?


Se suministra en un encapsulado PG-TO252-3 diseñado para montaje en superficie para proporcionar una integración de PCB compacta.

¿Este componente es adecuado para el cumplimiento de las normas de automoción?


No se especifica que cumpla los estándares de grado automovilístico y no se debe asumir que cumple.

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