MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD95R1K2P7ATMA1, VDSS 950 V, ID 6 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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Código RS:
273-2785
Nº ref. fabric.:
IPD95R1K2P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

950V

Encapsulado

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un dispositivo de alimentación CoolMOS P7 SJ de 950 V. La última serie CoolMOS P7 de 950 V marca un nuevo hito en las tecnologías de superunión de 950 V y combina el mejor rendimiento de su clase con la máxima facilidad de uso. Permite diseños de mayor densidad de potencia, ahorros en BOM y costes de montaje más bajos. Proporciona un mejor rendimiento de la producción al reducir los fallos relacionados con ESD.

Menos problemas de producción

Cartera completamente optimizada

Fácil de manejar y de usar en paralelo

Protección contra ESD de diodo Zener integrada

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