MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID -18.6 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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Código RS:
273-2832
Nº ref. fabric.:
SPD18P06PGBTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-18.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PG-TO252-3

Serie

SPD18P06P G

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.33V

Disipación de potencia máxima Pd

80W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.5mm

Longitud

40mm

Certificaciones y estándares

IEC 68-1, RoHS, AEC Q101

Anchura

40 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de canal P en modo de mejora. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 ºC. Este MOSFET está calificado según la norma AEC Q101.

Conformidad con RUSP

Especificado para avalancha

Chapado sin plomo

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