MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD40DP06NMATMA1, VDSS 60 V, ID 4.3 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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Código RS:
273-3007
Nº ref. fabric.:
IPD40DP06NMATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de canal P de Infineon en encapsulado DPAK representan la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de gestión de baterías, conmutación de carga y protección de polaridad inversa. Su interfaz fácil con MCU, conmutación rápida, así como la robustez de avalancha lo convierten en adecuado

Interfaz sencilla con MCU

Mejora de la eficiencia a cargas bajas gracias a la baja Qg

Conmutación rápida

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