MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID -4.2 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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Código RS:
273-7551
Nº ref. fabric.:
SPD04P10PLGBTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-4.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SPD04P10PL G

Encapsulado

PG-TO252-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

850mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

38W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.94V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.5mm

Longitud

40mm

Anchura

40 mm

Certificaciones y estándares

AEC Q101, RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito. Cuenta con calificación conforme a AEC Q101.

Nivel lógico

Conformidad con RoHS

Modo de mejora

Chapado sin plomo

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