MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 6.5 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3006
- Nº ref. fabric.:
- IPD25DP06NMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,739 € | 7,39 € |
| 50 - 90 | 0,625 € | 6,25 € |
| 100 - 240 | 0,58 € | 5,80 € |
| 250 - 990 | 0,566 € | 5,66 € |
| 1000 + | 0,555 € | 5,55 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-3006
- Nº ref. fabric.:
- IPD25DP06NMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 250mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 28W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 28W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de canal P de Infineon en encapsulado DPAK representan la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de gestión de baterías, conmutación de carga y protección de polaridad inversa. Su interfaz fácil con MCU, conmutación rápida, así como la robustez de avalancha lo convierten en adecuado
Interfaz sencilla con MCU
Mejora de la eficiencia a cargas bajas gracias a la baja Qg
Conmutación rápida
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