MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 6 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-2786
- Nº ref. fabric.:
- IPD95R1K2P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,848 € | 9,24 € |
| 50 - 95 | 1,678 € | 8,39 € |
| 100 - 245 | 1,54 € | 7,70 € |
| 250 - 995 | 1,42 € | 7,10 € |
| 1000 + | 1,316 € | 6,58 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-2786
- Nº ref. fabric.:
- IPD95R1K2P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-TO252-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un dispositivo de alimentación CoolMOS P7 SJ de 950 V. La última serie CoolMOS P7 de 950 V marca un nuevo hito en las tecnologías de superunión de 950 V y combina el mejor rendimiento de su clase con la máxima facilidad de uso. Permite diseños de mayor densidad de potencia, ahorros en BOM y costes de montaje más bajos. Proporciona un mejor rendimiento de la producción al reducir los fallos relacionados con ESD.
Menos problemas de producción
Cartera completamente optimizada
Fácil de manejar y de usar en paralelo
Protección contra ESD de diodo Zener integrada
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