MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-2784
- Nº ref. fabric.:
- IPD046N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
13,14 €
(exc. IVA)
15,90 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 280 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,628 € | 13,14 € |
| 50 - 95 | 2,39 € | 11,95 € |
| 100 - 245 | 2,188 € | 10,94 € |
| 250 - 995 | 2,018 € | 10,09 € |
| 1000 + | 1,882 € | 9,41 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-2784
- Nº ref. fabric.:
- IPD046N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de 80 V de canal N. Es ideal para la conmutación de alta frecuencia y la rectificación síncrona. Este MOSFET tiene una temperatura de funcionamiento de 175 grados centígrados. Este MOSFET está cualificado según JEDEC1 para la aplicación de destino y no contiene halógenos según IEC61249 2 21.
Conformidad con RUSP
Chapado sin plomo
Excelente carga de compuerta
Resistencia de encendido muy baja
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 950 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines