MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD046N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-2783
- Nº ref. fabric.:
- IPD046N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-2783
- Nº ref. fabric.:
- IPD046N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de 80 V de canal N. Es ideal para la conmutación de alta frecuencia y la rectificación síncrona. Este MOSFET tiene una temperatura de funcionamiento de 175 grados centígrados. Este MOSFET está cualificado según JEDEC1 para la aplicación de destino y no contiene halógenos según IEC61249 2 21.
Conformidad con RUSP
Chapado sin plomo
Excelente carga de compuerta
Resistencia de encendido muy baja
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