MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 4.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

6,88 €

(exc. IVA)

8,32 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2490 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 400,688 €6,88 €
50 - 900,582 €5,82 €
100 - 2400,541 €5,41 €
250 - 9900,53 €5,30 €
1000 +0,52 €5,20 €

*precio indicativo

Código RS:
273-3010
Nº ref. fabric.:
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Disipación de potencia máxima Pd

26W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de superunión MOS PFD7 de 600 V frío de Infineon complementa la oferta de MOS 7 frío para aplicaciones de consumo. Los productos se suministran con un diodo de cuerpo rápido integrado que garantiza un dispositivo robusto. El diodo de cuerpo rápido y el paquete SMD líder del sector de Infineon

Reducción de costes BOM y fabricación sencilla

Robustez y fiabilidad

Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para un ajuste fino del diseño

Enlaces relacionados