MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R1K0PFD7SAUMA1, VDSS 600 V, ID 4.7 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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Código RS:
273-3009
Nº ref. fabric.:
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

PG-TO252-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Disipación de potencia máxima Pd

26W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de superunión MOS PFD7 de 600 V frío de Infineon complementa la oferta de MOS 7 frío para aplicaciones de consumo. Los productos se suministran con un diodo de cuerpo rápido integrado que garantiza un dispositivo robusto. El diodo de cuerpo rápido y el paquete SMD líder del sector de Infineon

Reducción de costes BOM y fabricación sencilla

Robustez y fiabilidad

Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para un ajuste fino del diseño

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