MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW95R130PFD7XKSA1, VDSS 950 V, ID 36.5 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 284-923
- Nº ref. fabric.:
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-923
- Nº ref. fabric.:
- IPW95R130PFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 130mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 130mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un dispositivo de potencia avanzado que representa la última innovación en tecnología de superunión, diseñado específicamente para aplicaciones exigentes como iluminación y fuentes de alimentación industriales. La integración de diodos de cuerpo ultrarrápidos mejora la capacidad de respuesta, lo que lo convierte en ideal para topologías de resonancia. Con un rendimiento robusto y una fiabilidad superior, este dispositivo está a la vanguardia de la eficiencia en la gestión de potencia. Se ha prestado especial atención a reducir la carga de recuperación inversa, lo que permite frecuencias de conmutación más altas y mayor densidad de potencia en los diseños.
El diodo de cuerpo rápido integrado garantiza la fiabilidad
Mejor rendimiento térmico de su clase para una disipación de calor eficiente
La construcción duradera promueve la estabilidad a largo plazo
Integración perfecta en circuitos existentes
Óptimo para aplicaciones de alta tensión con seguridad mejorada
El encapsulado compacto reduce la huella de PCB y aumenta la flexibilidad
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