MOSFET STMicroelectronics STW65N023M9-4, VDSS 92 A, ID 92 A, TO247-4 de 4 pines, 2elementos

El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superjunción más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media o alta con RDS(on) muy bajo por área. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. El producto resultante tiene uno de los valores de carga de puerta y resistencia de conexión más bajos, entre todos los MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo convierte en especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.

Excelente rendimiento de conmutación
Fácil de manejar
Prueba de avalancha al 100 %